MOSFET

MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, полевый транзистор с изолированным затвором, или транзистор со структурой МДП, МДП-транзистор (также встречается обозначение МОП).

В таких транзисторах между управляющим затвором и каналом находится слой диэлектрика, например диоксида кремния, что даёт огромное входное сопротивление на затворе (порядка ГОм, 10⁹ Ом) и некоторую паразитную ёмкость затвора, который работает как конденсатор на несколько pF. Также при электрическом пробое затвора, транзистор тут же необратимо дохнет, что делает его особенно чувствительным к статическому электричеству. Типичное максимальное напряжение на затворе (gate) относительно истока (source), обозначаемое V_GS — 20 вольт, может быть как больше, так и меньше.

MOSFET повально используются в качестве ключей, для управления низковольтной нагрузкой, в разнообразных преобразователях напряжения и вообще любых силовых устройствах. MOSFET в сравнении с биполярными транзисторами выгодно использовать именно на низких напряжениях, поскольку в канале у них нет p-n перехода на котором падает 0.6 вольт (если он из кремния), канал в MOSFET это просто резистор, сопротивление которого в иделае изменяется от +∞ в режиме отсечки (выключенном состоянии) до 0 в режиме насыщения (включенном состоянии). На практике во включенном состоянии сопротивление канала у MOSFET составляет порядка единиц мОм, в выключенном становится порядка сопротивлением затвора.

Найти MOSFET можно буквально везде — в материнской плате вашего компьютера из будет в изобилии, а в составе всяких микросхем и сборок (драйверов преобразователей напряжения например), так ещё больше.