Биполярные транзисторы

Самые, так сказать, обычные транзисторы, первые транзисторы, с которых и начиналось развитие электроники после радиоламп. На данный момент (2019 год) биполярные транзисторы сильно потеснены полевыми, и используются только если нужны какие-то их специфические свойства. Например, в IGBT.

Биполярные транзисторы состоят из двух p-n переходов, и усиливают ток. Основной параметр — коэффициент усиления, или h_21e, это коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером. Минусами биполярных транзисторов является наличие, собственно, p-n перехода, на котором падает довольно большое напряжение, знатно отапливая атмосферу на больших токах, и малое входное сопротивление из-за необходимости управления током. Зато есть некоторый плюс — биполярные транзисторы могут работать на высоких частотах.

Симбиозом MOSFET и биполярных транзисторов является такое порождение, как IGBT. Это когда нагрузку на себя берет биполярный транзистор, но управляется при этом другим транзистором — полевым. Используется такое там, где нужно коммутировать высокие напряжения — 400 вольт и больше, например. Дело в том, что изготавливать MOSFET, способные выдерживать такие напряжения либо очень дорого, либо у них получается большое сопротивление открытого канала. И вот тут биполярные транзисторы у которых падение напряжение на переходе зависит логарифмически, выигрывают.